Thông số kỹ thuật

Thiết bị đo nhiệt độ bề mặt		GIS 500
Mã hàng		‎3 601 K83 4..‎‎‎‎
Phạm vi đo		−30 … +500 °C
Đơn vị đo		°C
Sai số (tiêu biểu)^A)
	−30 °C ≤ t ≤ −10 °C	±(1,8 °C+0,1×\|t\| °C)^B)
	−10 °C < t < 0 °C	±2,8 °C^C)
	0 °C ≤ t < 100 °C	±1,8 °C^C)
	100 °C ≤ t ≤ 500 °C	±1,8 %^C)
Quang học (Tỷ lệ khoảng cách đo : điểm đo)^D)^E)		12 : 1
Nhiệt độ hoạt động		−5 °C … +50 °C
Nhiệt độ lưu kho		−20 °C … +70 °C
Chiều cao áp dụng tối đa bên trên chiều cao tham chiếu		2000 m
Độ ẩm không khí tương đối tối đa		90 %
Mức độ bẩn theo IEC 61010-1		2^F)
Cấp độ laser		2
Loại Laser		< 1 mW, 650 nm
Phân kỳ điểm Laser		1,5 mrad
Pin		2× 1,5 V LR6 (AA)
Thời gian vận hành khoảng.		9 h
Trọng lượng^G)		0,18 kg
Kích thước (chiều dài × rộng × cao)		171 × 101 × 54 mm

A): Điều này được áp dụng ở nhiệt độ môi trường xung quanh là 21 °C...25 °C và độ phát xạ 0,95.
Khi nhiệt độ môi trường xung quanh T là –5 °C...21 °C độ đo chính xác biến đổi khoảng
±0,1×|T–21| °C đối với nhiệt độ bề mặt dưới 100 °C hoặc
±0,1×|T–21| % đối với nhiệt độ bề mặt trên 100 °C.
Khi nhiệt độ môi trường xung quanh T là 25 °C...50 °C độ đo chính xác biến đổi khoảng
±0,1×|T–25| °C đối với nhiệt độ bề mặt dưới 100 °C hoặc
±0,1×|T–25| % đối với nhiệt độ bề mặt trên 100 °C.

E): Thông số kỹ thuật phù hợp với VDI/VDE 3511 Tờ 4.3 (Ngày phát hành Tháng Bảy năm 2005); áp dụng cho 90 % tín hiệu đo.
Đo ngoài phạm vi các độ lớn mô tả trong Dữ liệu Kỹ thuật có thể dẫn đến các kết quả đo sai lệch.

F): Chỉ có chất bẩn không dẫn xuất hiện, nhưng đôi khi độ dẫn điện tạm thời gây ra do ngưng tụ.